1. SPP02N60C3
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SPP02N60C3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 650V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

内部编号

173-SPP02N60C3

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

数量:75734
1+¥4.623
25+¥4.2378
100+¥4.0836
500+¥3.9295
1000+¥3.7754
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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SPP02N60C3产品详细规格

规格书 SPP02N60C3 datasheet 规格书
SPP02N60C3
SPP02N60C3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品培训模块
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 650V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.8A
Rds(最大)@ ID,VGS 3 Ohm @ 1.1A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.9V @ 80µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 12.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 200pF @ 25V
功率 - 最大 25W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装材料 Tube
包装 3TO-220AB
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 650 V
最大连续漏极电流 1.8 A
RDS -于 3000@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 6 ns
典型上升时间 3 ns
典型关闭延迟时间 68 ns
典型下降时间 12 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
P( TOT ) 25W
匹配代码 SPP02N60C3
R( THJC ) 5K/W
LogicLevel NO
单位包 50
标准的提前期 14 weeks
最小起订量 1
Q(克) 12.5nC
LLRDS (上) n.s.Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 n.s.V
我(D ) 1.8A
V( DS ) 600V
技术 CoolM. C3
的RDS(on ) at10V 3.0Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.8A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.9V @ 80µA
漏极至源极电压(Vdss) 650V
供应商设备封装 PG-TO220-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3 Ohm @ 1.1A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 25W
输入电容(Ciss ) @ VDS 200pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 12.5nC @ 10V
封装/外壳 TO-220-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 500
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 1.8 A
封装/外壳 TO-220-3
零件号别名 SP000013523 SPP02N60C3HKSA1
下降时间 12 ns
安装风格 Through Hole
产品种类 MOSFET
商品名 CoolMOS
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 SPP02N60
RDS(ON) 3 Ohms
功率耗散 25 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 3 ns
漏源击穿电压 600 V
Continuous Drain Current Id :1.8A
Drain Source Voltage Vds :650V
On Resistance Rds(on) :2.7ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3V
功耗 :25W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-220
No. of Pins :3
MSL :-
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.003184
Tariff No. 85044090

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